Sistema de depósito de capa atómica mejorado por plasma

Sistema de depósito de capa atómica mejorado por plasma
(PEALD)
La deposición de capa atómica mejorada por plasma (peard), también conocida como Epitaxia de capa Atómica (ale), o deposición química de vapor de capa Atómica (alcvd). La deposición de la capa atómica consiste en la introducción continua de al menos dos fuentes de precursores de fase gaseosa en un sustrato de reacción de calentamiento, que terminan automáticamente cuando la adsorción química alcanza la saturación de la superficie, y la temperatura adecuada del proceso dificulta la adsorción física de las moléculas en la superficie. Un ciclo básico de deposición de capa atómica consta de cuatro pasos: pulso a, limpieza a, pulso B y limpieza B. el ciclo de deposición se repite hasta obtener el grosor de película requerido y es una herramienta para hacer nanoestructuras para formar nanodispositivos.

Las ventajas de peald incluyen:
1. el espesor de la película se puede controlar con precisión controlando el número de ciclos de reacción, logrando así una película con precisión de espesor de la capa atómica;
2. debido a que el precursor es una adsorción química saturada, se garantiza la generación de películas homogéneas a gran escala;
3. película Estequiometría conformable tridimensional que se puede generar como recubrimiento de recubrimiento de paso y material nanoporoso;
4. se pueden depositar capas nanodelgadas multicomponentes y óxidos mixtos;
5. el crecimiento de la película se puede realizar a baja temperatura (temperatura ambiente a menos de 400 grados);
6. se puede aplicar ampliamente a sustratos de diversas formas;
7. las películas de óxido metálico cultivadas por la deposición de capas atómicas se pueden utilizar en el dieléctrico de puerta, aisladores de pantallas electroluminiscentes, dieléctrico de condensadores y dispositivos microelectrónicos, y las películas de nitruro metálico cultivadas son adecuadas para barreras de difusión.


Aplicaciones de la deposición de capas atómicas mejoradas por plasma peald:
1) materiales dieléctrico de alta - K (al2o3, hfo2, zro2, pralo, ta2o5, la2o3);
2) electrodos de puerta conductores (ir, pt, ru, tin);
3) estructuras de interconexión metálica (cobre, wn, tan, ru, ir);
4) materiales catalizadores (pt, ir, co, titania, v2o5);
5) nanoestructura (todos los materiales ald);
6) recubrimientos biomédicos (tin, zrn, tialn, altin);
7) ALD 金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) capa piezoeléctrica (zno, aln, zns);
9) conductores eléctricos transparentes (zno: al, ito);
10) barrera ultravioleta (zno, titania);
11) capa pasiva OLED (al2o3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS: Mn, TiO2, Ta3N5);
13) filtro antirreflectante (al2o3, zns, sno2, ta2o5);
14) dispositivos electroluminiscentes (srs: cobre, zns: manganeso, zns: tb, srs: ce);
15) capas de proceso como vallas de grabado, vallas de difusión de iones, etc. (al2o3, zro2);
16) aplicaciones ópticas como células solares, láseres, recubrimientos ópticos, nanofotones, etc. (altio, sno2, zno);
17) sensores (sno2, ta2o5);
18) lubricante de desgaste, barrera de corrosión (al2o3, zro2, ws2);


Preparación del sistema:
Tamaño del sustrato: 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas;
Temperatura de calentamiento: 25 ℃ - 400 ℃ (opcional con mayor);
Uniformidad: inferioral 2%;
Número de cuerpos delanteros: 4 (6 opcionales);
Compatibilidad: compatible con la Sala súper limpia de nivel 100;
Tamaño: 950 mm x 700 mm;
Tecnología ALD y PE - ald;
Los materiales que actualmente se pueden depositar incluyen:
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,. ..
2) nitruro: aln, tanx, nbn, tin, mon, zrn, hfn, gan,...
3) fluoruro: caf2, srf2, znf2,...
4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni,. ..
5) carburo: tic, nbc, tac,...
6) materiales estructurales compuestos: altinx, altiox, alhfox, sio2: al, hfsiox,...
7) sulfuros: zns, srs, cas, pbs,...